Arbeitskreis Epitaxie

Epitaxie von III/V - Halbleitern

AIXTRON

Bei der Epitaxie handelt es sich um ein gerichtetes Kristallwachstum, bei dem die Atome in der abgeschiedenen Schicht in einer bestimmten, festgelegten Kristallstruktur angeordnet werden. Bei der Herstellung von elektronischen und optoelektronischen Bauelementen müssen diese dünnen, einkristallinen Schichten oder Strukturen mit Schichtdicken von wenigen Nanometern bis Mikrometer mit höchster Perfektion abgeschieden werden. Als Epitaxie-Methoden werden die Gasphasenepitaxie, die Molekularstrahlepitaxie oder Flüssigphasenepitaxie eingesetzt. Forschung und Industrie befassen sich teils mit unterschiedlichen grundlagenorientierten Fragengestellungen zum Schichtwachstum – mit hohen technologischen Anforderungen an die Epitaxie-Methoden, die entsprechende Anlagentechnologie und an das theoretische Verständnis zur Herstellung, den Schichteigenschaften und der Anwendung in Bauelementen. Der Arbeitskreis Epitaxie eint diese vielfältigen Interessen und Schwerpunkte. Gleichzeitig befasst er sich ebenfalls mit sehr spezifischen Methoden zur Charakterisierung extrem perfekter und dünner Kristallschichten.

 

Arbeitskreissprecher

Prof. Michael Heuken
E-mail: M.Heuken@aixtron.com
Aixtron SE
Dornkaulstraße 2 , 52134 Herzogenrath
Telefon: +49 (2407) 9030-154

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