Arbeitskreissprecher
Prof. Dr. Ing. Peter Wellmann
E-mail: This email address is being protected from spambots. You need JavaScript enabled to view it.
FAU,Department Werkstoffwissenschaften 6
Martensstr. 7, 91058 Erlangen
Telefon: 09131-85-27635
Arbeitskreistreffen
09./10. Oktober 2024, Berlin
Große Halbleiterkristalle mit hoher Reinheit und Qualität sind die Basis für elektronische und optoelektronische Bauelemente. Die Erhöhung der Kristallausbeute und der Kristallqualität erfordern zum einen immer detailliertere Kenntnisse über die Wachstumsbedingungen und über die Entstehung von Kristalldefekten, zum anderen einer immer ausgeklügeltere Kristallzüchtungsanlagentechnik und Metrologie.
Folgerichtig beschäftigt sich dieser Arbeitskreis sowohl mit grundlegenden Aspekten der Kristallzüchtung als auch mit entsprechenden technologischen Fragen. Neben den Elementhalbleitern Silizium und Germanium und den klassischen III-V-Verbindungshalbleitern wie GaAs und InP befasst sich der Arbeitskreis mit Halbleitern großer Bandlücke wie SiC, GaN, AlN oder Ga2O3 sowie mit II-VI Halbleitern für Detektoranwendungen.